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碳化硅的发展历程

发布时间:2020-09-18 浏览:928次返回列表

碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,接下来碳化硅厂家安阳胜凯冶金为大家简单讲讲碳化硅的发展历程,一起来了解下吧!

  碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上较硬的金刚石(10级),具有优良的导热性能,是一种半导体,高温时能抗氧化。

  碳化硅历程表:①1905年次在陨石中发现碳化硅;②1907年只碳化硅晶体发光二极管诞生;③1955年理论和技术上重大突破,LELY提出生长高品质碳化概念,从此将SiC作为重要的电子材料;④1958年在波士顿召开世界碳化硅会议进行学术交流;⑤1978年六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法;⑥1987年~到今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线,供应商开始提供商品化的碳化硅基;⑦2001年德国Infineon公司推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本,罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管;⑧2013年9月29日,碳化硅半导体国际学会“ICSCRM2013”召开,24个国家的半导体企业、科研院校等136家单位与会,人数达到794人次,为历年来之。国际知名的半导体器件厂商,如科锐、三菱、罗姆、英飞凌、飞兆等在会议上均展示出了新的碳化硅器件。

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